Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Rana A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Rana A. K. 
Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs [Електронний ресурс] / A. K. Rana, N. Chand, V. Kapoor // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 203-208. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 182.447 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Thakran M. 
High Pressure Growth Approach for the Preparation of Reduced Graphene Oxide and its Investigation Using Raman Spectroscopy [Електронний ресурс] / M. Thakran, S. Kumar, R. Phogat, S. K. Ray, R. Brajpuriya, A. S. Rana, B. Kumar // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04015-1-04015-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_17
Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації хімічних і фізичних властивостей похідних графену. У роботі описано основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G<^>*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених з застосуванням методу вирощування за високого тиску. Для r-GO лінії розширено і трохи зміщено в червону область для всіх смуг у порівнянні з GO через розвинення деформації під час вирощування за високого тиску (гідротермальний процес) в результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорено нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із G-смугою сильно зменшується, що підтверджує, що автори успішно синтезували двошаровий/тришаровий GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що автори синтезували високоякісні GO та r-GO.
Попередній перегляд:   Завантажити - 534.195 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Rana A. 
Stability of Complex Functional Equations in 2-Banach Spaces [Електронний ресурс] / A. Rana, R. K. Sharma, S. Chandok // Журнал математичної фізики, аналізу, геометрії. - 2021. - Т. 17, Вип. 3. - С. 341-368. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jmfag_2021_17_3_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 360.549 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Dema Munef Ahmad 
Proposal for an ISO9001-compliant quality management system for AEC frms: a Case Study from Syria [Електронний ресурс] / Dema Munef Ahmad, Rana Ahmad Maya, L. Gáspár, Z. Bencze, Seraj Khalid Jdyd // Дороги і мости. - 2023. - Вип. 27. - С. 52-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dim_2023_27_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.996 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського